Силицен: материал будущего для производства компьютерных чипов

Еще в четыре года назад создание силицена — кремниевой структуры толщиною в один атом — казалось чисто теоретической идеей. Однако на сегодняшний день экзотический материал уже действительно создан, и эксперты обнаружили, что электрические свойства этого материала могут привести к раскрытию до сих пор невиданного потенциала в увеличении мощности компьютерных чипов нового поколения.

Согласно мнению  инженера Дежи Акинванде и его коллег из Университета в Остине (штат Техас), выпуск транзисторов на основе силицена способно вызвать революцию в индустрии производства полупроводниковых материалов. Переход на новый уровень производства сможет позволить создавать более быстрые, компактные и более энергоэффективные (структура силицена позволяет электронам сталкиваться с меньшим сопротивлением на своем пути) компьютерные чипы. Однако самое важное значение заключается в «возможности эффективного производства и изготовления силиценовых устройств при более низких температурах».

Исследователи разработали также метод изготовления силицена, в рамках него основной компонент располагается между тонкими слоями серебра и оксида алюминия (обычно можно найти в определенных видах обычных и драгоценных камней) толщиной в один нанометр. Эти два слоя создают защитную оболочку для пластины из диоксида кремния. После обработки серебряный слой аккуратно снимают, оставляя два электрических контакта и тонкую пластину силицена между ними. Данным образом и получаются силиценовый транзистор.